三星追趕SK海力士 傳4奈米邏輯晶粒良率破4成

近日韓國媒體報導，三星電子（Samsung Electronics）支援次世代高頻寬記憶體HBM4的4奈米邏輯晶粒（logic die），測試良率已超過40%，代表可以開始規劃商業量產。不過，業界仍指出，封裝技術可能是一大挑戰。

韓國媒體Chosun Biz報導指出，三星在高頻寬記憶體HBM3市場落後SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）後，正在大力擴展新一代高頻寬記憶體HBM4的市場。

HBM4的邏輯晶粒採用4奈米製程，三星旗下掌管半導體業務的裝置解決方案部門（DS）主管全永鉉，近日透過內部文件稱讚該部門同仁，稱4奈米邏輯晶粒的測試良率，已提升到40%以上水準。

一名產業人士分析，初期測試良率達到40%，對於推展該業務或量產商業規劃來說，都是一項亮眼的數據。不過，如何穩定這項領域生產，以及相關封裝技術，都是三星將面臨的重要挑戰。

報導表示，僅提升邏輯晶粒的良率，仍不足以成為三星HBM4打敗競爭對手的關鍵，主要是三星打算將邏輯晶粒結合10奈米等級DRAM（1c DRAM），打造為12層的HBM4產品，但必須確保品質穩定且能量產，才能比拚SK海力士在HBM4採用的1b DRAM技術。

此外，HBM4的封裝技術也相當重要，三星擬使用熱壓縮非導電薄膜（TC-NCF）技術進行堆疊，每次堆疊晶片都需要放下膠片材料，這種封裝方式被認為在控制散熱上有待加強。

根據研調公司Counterpoint Research統計，今年第1季SK海力士在全球DRAM市場拿下36％市占率，其次是三星電子，市占率約34%，雙方互別苗頭。◇