美銀：陸DUV威脅被誇大

美國銀行報告指出，中國晶片設備威脅被誇大，荷蘭晶片製造設備大廠艾司摩爾（ASML）的主導地位難以超越。

The Information週一（27日）報導，中國企業開始量產浸沒式深紫外光（DUV）曝光機，預計今年生產5台，明年生產約20台。投資人擔心，如果北京繼續發展自主半導體技術，可能會將美國、歐洲和亞洲相關企業排除在中國市場之外。ASML目前長期主導中國市場，其股票週一下跌5.9%，週二再下跌5%。

DUV是用於矽晶圓上蝕刻電路圖案的設備，為半導體製造過程中至關重要的環節，被台積電和英特爾等代工廠廣泛採購，但主要用於生產技術水準較低的晶片。相較之下，蘋果和輝達設計的最先進晶片需要使用EUV（極紫外光）曝光機，而ASML禁止出口EUV曝光機到中國。

行業人士表示，中國量產曝光機需要突破關鍵限制，一是機器生產晶片的「良率」，二是機器本身的量產規模。

中國晶片廠良率低
連用進口設備都遠低於台積電

半導體製造商關注的核心指標是曝光機的「良率」，指製程中最終可用的晶片數量。Futurum Group AI負責人佩興斯（Nick Patience）告訴CNBC，中國產DUV曝光機要跟ASML競爭，至少需達到良率持平，而不僅是設備可用。他說，中國晶片廠良率低，連中國最大晶片製造商中芯國際所使用的進口DUV曝光機，其良率也遠遜於台積電所用。

「由不知名中共國有企業製造的機器，起點都不會很高。」他說，「可靠性需要多年現場迭代，ASML已經實現這點，而中國至今望塵莫及。」如果良率遠低於ASML的設備，肯定會阻礙中國設備的推廣或普及。

中國產曝光機無法實現大規模量產

中國面臨的另一個挑戰是擴大產能。開發DUV的中國公司計畫今年生產5台，明年達20台左右。而ASML計畫今年實現約130台DUV浸沒式設備產能，並在明年增加30%。

SemiAnalysis分析師團隊表示：「工具性能、機器本身的產能規模、設備整體性能、周邊生態系統以及與折舊後的ASML機器經濟性，都讓中國DUV設備處於劣勢。」其中，機器本身的產能規模會是最被低估的部分。

商業諮詢公司DGA Group合夥人崔歐洛（Paul Triolo）表示，要挑戰ASML，將要求這家中企量產可靠的設備，並在全球各種晶圓廠環境中提供支持，目前看來這相當有難度，「在中國國內提供少量、功能有限的DUV設備是一回事，而支持能夠真正與ASML競爭的全球設備部署則是另一回事。」

中國產曝光機可能進入非常低端領域

ODDO BHF股票研究主管胡瑞（Stephane Houri）研判，中國量產曝光機可能最終也僅限於非常低端領域。

路透社專欄作家約翰遜（Jennifer Johnson）週二撰文說，可以理解投資人的不安，但ASML技術領先優勢巨大，市場需求不會輕易改變。她表示，外界對中國新設備性能、可靠性和晶片處理速度都存在疑慮，這代表ASML可以在技術上擁有持久優勢，並領先新興競爭對手。僅在去年，ASML就售出279台DUV設備，而且還有很多晶片廠排隊等待下單。

約翰遜承認，中國未來是否可能生產出足以挑戰ASML現有設備的長期擔憂，確實是存在的風險，但目前還不是迫在眉睫的問題。

美銀分析師斯切馬馬（Didier Scemama）表示，目前市場反應過度，其實中企對ASML威脅並不大。「要取代ASML，需要有在生產效率、製程水準和成本與之相當的中國替代品，這仍是巨大挑戰。」

斯切馬馬還指出，即使中國能夠在本地採購20台DUV，明年也只會影響ASML銷售額約14億歐元，僅約占2.4%，「中國仍是ASML重要市場，中國市場今年預計將占ASML銷售額約20%，深紫外光曝光機收入的44%。」◇