重回賽道 三星高頻寬記憶體HBM3E終獲輝達認證

人工智慧（AI）資料中心需求強勁，帶動記憶體市況，三星正持續精進技術能力，綜合媒體報導，三星第五代12層高頻寬記憶體HBM3E產品近日終於通過輝達驗證測試，代表三星重回技術賽道。

據《韓國經濟日報》報導，三星雖然已向超微出貨第五代12層高頻寬記憶體HBM3E，但一直未能符合輝達嚴格的性能標準，進程落後SK海力士、美光等記憶體廠。

報導提到，如今三星通過驗證，雖然預料供貨將相對少量，但仍是第三間獲得輝達認證的相關記憶體供應商。一名業界人士說，「對三星而言，供貨輝達與其說是為了營收，不如說是象徵自身技術已重回軌道。」

報導說，然而真正的戰場已轉移至第六代高頻寬記憶體HBM4，三星計畫本月向輝達提供大量的HBM4樣品，輝達開出的標準是，HBM4的資料傳輸速度得推升至每秒10 Gbps以上；知情者說，三星已展示11 Gbps的傳輸速度，超越SK海力士的10 Gbps，而美光則未達輝達的要求。

記憶體需求旺 Q4價格看漲

不只高頻寬記憶體市場需求強勁，動態隨機存取記憶體（DRAM）與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市況也超乎預期。綜合媒體報導，市調機構集邦科技預期，在第四季，DRAM、NAND Flash等兩類記憶體的價格可望持續上漲。

報導說，DRAM的DDR4因供給減少，帶動產品價格飆漲，市場估計第三季供需缺口約3%，預期DDR4供需缺口可能進一步擴大，並將缺貨到明年第四季。

NAND Flash部分，受到AI需求的帶動，目前大量訂單轉向企業級固態硬碟，造成NAND Flash短缺，供應商醞釀第四季漲價，預估漲幅將達5%至10%。◇