工研院攜手英商 搶攻全球化合物半導體市場

化合物半導體「黑科技」氮化鎵（GaN），因其擁有高功率、高密度，可大幅縮小產品體積，於高頻、高溫與高電壓的環境下仍有極佳效能，在 5G／6G、綠能與電動車市場驅動下，將大幅推升化合物半導體在消費性電子產品與相關產業鏈產值，成為下世代半導體產業新星。工研院今（27）日宣布與英商牛津儀器簽署研究計劃共同合作，希望鏈結雙方研發能量，成功建構臺灣化合物半導體產業鏈發展，搶攻全球市場。

根據市調機構IDC指出，2021年全球半導體市場產值達4,760億美元，預估未來5年產值將年增8成；美、日、歐等國已將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展的重要材料，並廣泛應用到高階通訊、功率元件、光電應用等。

工研院副院長張培仁指出，英商牛津儀器是領先全球的先端儀器跨國集團公司，在15年前就已跟工研院在精密檢測分析部分進行合作，工研院不但是牛津儀器在亞太區重要的據點，雙方也培養深厚的默契與基礎，並在HBLED、MEMS、Micro-LED、矽光子學、奈米分析等領域獲得成果。此次簽署將有助於建構更完整的下世代半導體供應鏈，並將研發落實於系統整合及跨領域創新，進一步協助產業轉型升級，帶動臺灣經濟與產業成長。

工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅表示，工研院已開發應用於高頻通訊之氮化鎵半導體技術，並與相關學術機構進行磊晶技術研究、開發操作頻率達320 GHz之高頻元件與100 GHz之功率放大器模組等前瞻技術，希望加速國內下世代超高頻通訊關鍵技術自主化。

吳志毅說，看準臺灣在世界半導體產業中的關鍵性領先技術、完整產業鏈與工研院的前瞻創新研發技術，希望攜手牛津儀器合作開發化合物半導體的元件技術，有效提升氮化鎵的高電子遷移率電晶體（HEMT）元件製程良率，增加電源充電功率與電晶體性能，建構臺灣下世代化合物半導體產業布局，帶動臺灣產業在供應鏈佔有一席之地。

英商牛津儀器首席執行長伊恩˙巴克希爾說明，英國牛津儀器已進駐工研院成立研發中心並聯合舉辦相關訓練課程，作為牛津儀器在亞太地區培訓工程研發人員的重要基地。今年雙方再次攜手，牛津儀器將提供先進的原子級沉積與蝕刻技術設備，搭配工研院在超高頻半導體關鍵零組件技術解決方案及製程開發平台的領先能量，期待雙方在強化前瞻技術研發能量下，進一步打入國際市場供應鏈。