半導體貢獻卓著 張懋中膺美發明家院士

「美國發明家學會」於美國時間15日上午，公布2015年獲選發明家院士168人，交通大學張懋中校長因研究推動半導體通信元件，對社會與經濟發展貢獻卓著，獲遴選委員肯定並頒授榮銜，交大師生都深感榮耀。

美國發明家學會會長保羅‧參柏格(Paul R. Sanberg)表示，2015年當選院士皆備受尊崇，各項創新發明對社會與經濟帶來卓越貢獻，成為帶領社會、文化前進的力量。168名新院士擁有高達5,368項美國專利，豐富人類生活質量，對社會與經濟發展也有顯著貢獻和深遠影響。美國發明家學會第五屆年度會議2016年4月15日於美國專利商標局總部舉辦，將同時舉行2015發明家院士就任儀式。

張懋中校長1990年於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室與研究團隊完成異質結雙極性高速電晶體 (HBT) 與其積成電路的研究與開發，成功量產後成為手機必備發射器元件，其研發砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對產業界及學術界帶來跨時代貢獻。

張懋中校長對高速半導體元件和高頻無線及混合信號電路在通信、雷達、聯結、攝像等系統的研究及開發貢獻卓著，在基礎研究和實際應用領域是首屈一指的權威代表。曾榮膺國際電機電子工程學會(IEEE)會士、美國國家工程學院((National Academy of Engineering))院士、中央研究院院士殊榮。

在研發領域貢獻卓越的張懋中校長不忘社會責任。今年八月回到母校接下校長一職，以服務為宗旨領導交大，將去國多年的觀察與美國大學的立校精神融合交大獨有文化，帶領交大實踐「教育是以生命改變生命的力量」的理念。

 全球迄今共有582位榮獲桂冠，獲此崇高榮譽的發明家和創新學者來自190所研究型大學、政府機關及非營利性研究機構；其中包含27位諾貝爾獎得主、80餘名研究型大學校長及非營利機構領導、27位入選美國國家發明家名人堂、310位入選美國國家科學院、170位美國科學家促進協會會士及98位IEEE院士等。