英特爾工研院攜手 開發出低耗電DRAM

晶片大廠英特爾（Intel）的英特爾實驗室多方合作，發展多項前瞻技術。其宣布和工研院合作開發的陣列記憶體架構，開發出低耗電的全DRAM陣列記憶體原型模型。

英特爾副總裁暨實驗室執行總監王文漢表示，相較於標準的DDR DRAM元件，此原型模型不僅可將傳輸時的延遲縮減4倍、並降低至少25倍的耗電，而且傳輸頻寬是DDR3 DIMM記憶體的3~4倍。

英特爾實驗室指出，其與工研院自2011年開始進行研究合作，針對未來超行動裝置（ultra-mobile devices），包括Ultrabook、平板電腦、與智慧型手機等，以及未來百萬兆級（exa-scale）和超大型雲端資料中心（cloud mega-datacenter）等環境，開發高效能且極度省電的陣列記憶體架構。

低耗電的全DRAM式陣列記憶體原型模型實測數據顯示，傳輸頻寬是DDR3 DIMM記憶體的3~4倍。藉由創造省電效率大幅提升的記憶體，未來各種裝置將能達到更高的電池續航力、更快整合行動資料、以更高解析度呈現更高的繪圖效果，提升行動使用者的經驗。

英特爾實驗室也與華碩（ASUS）針對差異化儲存服務研究合作，現已開發出軟體原型（software prototype）套件，其傳輸效能是傳統儲存伺服器的2.5倍。除此之外，英特爾與台大創新研究中心針對物聯網（IoT）垂直應用市場釋出4款開放原始碼的物聯網開發套件。◇

小檔案：DRAM是什麼？

DRAM為動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory），由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，「靜態」記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。

與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）裝置。◇