調研：華為最新晶片仍落後
加拿大半導體技術分析公司TechInsights於8月27日發布華為旗艦處理器「海思麒麟 9030 Pro」的分析報告，證實其晶片所採用的中芯國際N+3製程，在製程密度與先進程度上仍遠低於台積電或三星已商業化的5奈米製程。
中芯國際N+3製程目前是公開資料所能確認的中國最先進國產製程。報告表示，對海思麒麟9030 Pro的中芯國際N+3製程進行逆向工程分析，並將其與業界先進製程節點進行對比，試圖回答外界高度關注的問題：中芯N+3與台積電、三星領先製程相比，究竟還有多少差距？
這份報告深入分析了前段（FEOL）與後段（BEOL）的關鍵幾何尺寸，揭開中芯在缺乏極紫外光（EUV）微影技術設備的困境下，如何硬擠出媲美5奈米級別電晶體密度的實體證據。
TechInsights先前已拆解華為智慧手機Mate 80 Pro Max搭載的麒麟9030。當時外界對這款處理器究竟採用5奈米、6奈米，或中芯N+2改良製程眾說紛紜。由於中芯並未公布相關製程路線圖，TechInsights透過晶片結構及尺寸實測，最終確認麒麟9030採用的是中芯N+3，是中芯7奈米級製程的縮放演進版本。
分析顯示，中芯N+3較於中芯N+2，取得了顯著的電晶體密度提升，但同時也證實，中芯N+3的縮放程度仍明顯落後於台積電與三星商用的5奈米製程。TechInsights的新分析為這些比較提供了實證。
TechInsights的競爭對手SemiAnalysis在7月14日指出，麒麟9030 Pro性能與三年前的安卓旗艦機型相仿，但遠遜於蘋果、高通、聯發科和三星目前的旗艦級單晶片系統。
SemiAnalysis稱，透過DUV多重曝光技術和設計優化，中芯N+3製程實現了與台積電6奈米相當的密度，但代價是製程複雜，並且效率和控制方面降低。中芯N+3需要更複雜的DUV多重曝光技術，在製程成熟度和成本方面不及台積電6奈米製程。
至於華為海思麒麟9030 Pro是否能用於AI資料中心，TechInsights表示：「儘管中國已經能夠利用中芯N+3製程節點，製造出達到產品品質要求的AI手機晶片，但該製程並不適合用於資料中心AI晶片。原因在於DUV曝光技術本身的限制，而且中芯N+3製程仍相對新，兩者疊加下可能導致良率偏低。而資料中心AI晶片尺寸遠大於智慧型手機晶片，因此良率問題會更明顯。」◇
