AI需求引爆記憶體超級牛市

高頻寬記憶體(HBM)晶片示意圖。(Shutterstock)
高頻寬記憶體(HBM)晶片示意圖。(Shutterstock)

【記者侯駿霖/台北報導】

人工智慧(AI)伺服器需求快速擴張,帶動記憶體與儲存裝置市場供需進一步吃緊。近期市場傳出,記憶體大廠SanDisk規劃調漲企業級NAND(快閃記憶體)價格,漲幅可能超過1倍,並罕見要求客戶支付100%現金預付款,以換取未來1至3年的供應配額,顯示儲存裝置產業正快速轉向賣方市場。

科技媒體Digitimes報導,SanDisk已向部分下游客戶提出預付款合約模式,儘管條件相對嚴格,但在AI基礎設施建置需求持續擴大下,部分雲端服務供應商(CSP)為降低未來斷供風險,正評估是否接受相關條款。

人工智慧(AI)伺服器需求快速擴張,帶動記憶體與儲存裝置市場供需進一步吃緊。資料照。人工智慧(AI)伺服器需求快速擴張,帶動記憶體與儲存裝置市場供需進一步吃緊。資料照。(記者宋碧龍/攝影)

資料中心需求快速增長

另據《Tom’s Hardware》引述野村證券報告指出,SanDisk計畫於3月調升企業級SSD(固態硬碟)用高容量3D NAND報價,短期供應緊縮,加上資料中心需求快速成長,是推升價格的主要因素。相關消息也帶動SanDisk股價9日走揚,反映出市場預期儲存裝置產業景氣的升溫趨勢。

記憶體與儲存裝置供應轉趨吃緊,與AI晶片對高規格記憶體需求快速擴大有關。輝達(Nvidia)、超微(AMD)及Google等業者推出的AI加速器,大量採用高頻寬記憶體(HBM)與高容量儲存設備,單一伺服器對記憶體與儲存資源的消耗,已遠高於傳統PC或行動裝置。

市調機構TrendForce分析,記憶體廠商正集中資源於高附加價值產品,使供需結構出現明顯變化,在產能優先轉向AI與伺服器應用的情況下,消費性市場可取得的記憶體供給受到排擠,預估2026年第一季DRAM平均價格,將較2025年第四季上漲50%至55%,大幅走揚。

結構性供給排擠效應

美光(Micron)業務執行長Sumit Sadana日前在美國CES展會上指出,AI晶片所需的HBM製程複雜度高,生產過程需堆疊多層記憶體晶片,每提高HBM產出1 bit,就要放棄其他裝置傳統記憶體3 bit的供應空間,形成結構性供給排擠效應。SK海力士與三星電子也陸續對外釋出產能吃緊訊號,未來年度部分產能已提前被客戶預訂。

產業人士指出,在AI投資未明顯降溫、雲端與資料中心持續擴建的背景下,記憶體與儲存裝置供需緊張情勢短期內恐難以緩解,價格上漲是否進一步波及消費性電子產品,仍有待後續觀察。◇

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