三星進軍化合物半導體 2025年將代工氮化鎵

韓國媒體BusinessKorea近日報導，三星電子（Samsung Electronics）即將進軍化合物半導體市場，宣布在2025年開始提供8吋氮化鎵（GaN）晶圓代工服務，主要滿足汽車領域對功率半導體的需求。

報導引述知情人士說法指出，三星最近在韓國、美國舉辦2023年三星晶圓代工論壇活動，宣布2025年起，為消費、資料中心與汽車應用提供8吋氮化鎵晶圓代工服務。

不過，由於全球消費電子、電動汽車領域的技術升級與需求成長，使功率半導體的價格續揚；而碳化矽（SiC）、氮化鎵這類化合物材料所製造的功率半導體，將比傳統單晶矽基半導體，具備更高的電源轉換效率及功率密度，由於耐用性佳，適合汽車應用的作業環境。

報導表示，英飛淩（Infineon）、意法半導體（ST）等大廠均擴大投資碳化矽半導體的產能，並與中國企業合作，韓國企業包括三星、SK集團也陸續投入功率半導體產業鏈。

SK海力士收購代工廠Key Foundry，也在開發氮化鎵晶圓代工製程。韓國8吋晶圓代工公司DB Hi-Tech也在去年研發碳化矽、氮化鎵技術，目標將在2024年完成氮化鎵開發、2025年開始商業化生產。◇