長江存儲被美卡脖子 技術和量產能力受重創

由於在美國制裁下無法和海外頂級半導體設備製造商開展業務,長江存儲的技術能力受到質疑,且該公司擴建第二個晶圓廠的計劃或將推遲。(KIM JAE-HWAN/AFP via Getty Images)
由於在美國制裁下無法和海外頂級半導體設備製造商開展業務,長江存儲的技術能力受到質疑,且該公司擴建第二個晶圓廠的計劃或將推遲。(KIM JAE-HWAN/AFP via Getty Images)

【記者夏雨、張原彰/綜合報導】

【大紀元2023年01月27日訊】(大紀元記者夏雨綜合報導)總部位於武漢的長江存儲(YMTC)自2016年成立以來,一直是中共在全球NAND閃存芯片市場取得突破的希望。但在美國嚴厲制裁下,這種希望幾近破滅。由於在制裁下無法和海外頂級半導體設備製造商開展業務,長江存儲的技術能力受到質疑,且該公司擴建第二個晶圓廠的計劃或將推遲。

去年12月,美國商務部工業與安全局將長江存儲和35家中國實體列入貿易黑名單,限制未經美國政府批准,這些中企不能採購美國產品和服務。美國政府表示,長江存儲向那些受美方出口管制的公司提供產品,包括華為技術有限公司和監控攝像頭製造商杭州海康威視數字技術有限公司等。

外國芯片專家表示,儘管公司預計不會立即倒閉,但由於無法自如獲得美國芯片製造工具和服務,長江存儲實現技術進步和量產的能力將受到阻礙。

瑞銀亞太技術研究主管尼古拉斯‧高杜瓦(Nicolas Gaudois)對《南華早報》表示:「中國(中共)的存儲產業未來將很難繼續運轉。」 「顯然,它(美國)正在限制其(中共)提高先進技術新技能的能力。」

若無關鍵設備供應商支持 長江存儲面臨巨大技術障礙

NAND閃存芯片是一種無需電源即可保留數據的非易失性半導體存儲器,廣泛用於智能手機、平板電腦和其它消費電子設備。

Xtacking 3.0架構代表了長江存儲自主研發的Xtacking結構最新疊代,它將為其第四代3D NAND芯片提供動力。該公司於去年8月推出了其首款3D NAND芯片,即基於Xtacking 3.0架構的X3-9070。根據長江存儲的一份聲明,3.0架構比之前設計提高了50%的性能,將存儲密度提高到1BT,同時降低了25%的功耗。

三個月後,加拿大半導體和微電子情報提供商TechInsights在海康威視固態硬盤中發現了長江存儲製造的232層3D NAND芯片,採用Xtacking 3.0。

雖然這可能是3D NAND技術的里程碑架構,但長江存儲無法與泛林集團(台灣作科林研發,Lam Research)等頂級半導體設備製造商開展業務,將意味著長江存儲的技術實力受到質疑。因為這些公司的工具對內存芯片製造商很重要。

總部位於台北的研究公司TrendForce表示,長江存儲科技公司在被列入美國商務部實體清單後的幾年內,將無法生產具有競爭力的3D NAND存儲器。制裁之後,該公司將很難從美國公司採購晶圓廠設備(WFE)和其它商品,從而阻礙其增長。

TrendForce在一份研究報告中表示:「如果沒有關鍵設備供應商的支持,長江存儲目前在其最新的3D NAND閃存技術Xtacking 3.0的開發中面臨著巨大的技術障礙。」「特別是,提高128層和232層工藝的良率對中國內存製造商來說將是極具挑戰性的。」

由於被列入黑名單,美國商務部將審查與中國3D NAND製造商的晶圓廠設備、軟件、技術、支持服務和其它美國原產商品的所有單項交易。此類出口許可證申請以拒絕推定的方式進行審查,因此對於長江存儲來說,每一個採購過程都變得艱難而漫長。

這將對長江存儲造成很大影響,因為它涉及從包括美國、日本和荷蘭在內的多家公司採購大量先進工具。由於現在從美國獲得新設備很困難,因此長江存儲的3D NAND產量增長將受到嚴重限制。此外,如果日本和荷蘭效仿美國對中共半導體產業實施限制,長江存儲和中國其它公司從外國公司採購WFE將面臨更大的挑戰。

彭博社1月26日報導,據知情人士透露,日本和荷蘭準備加入美國行列,限制中共獲得先進的半導體設備,這將削弱中共芯片自主野心。

消息人士:長江存儲或推遲第二座晶圓廠建設

《南華早報》1月26日報導,一名業內消息人士稱,由於採購供應鏈中斷,長江存儲甚至可能推遲其在武漢的第二座晶圓廠建設。另一行業專家、前華為技術人員表示,長江存儲並不缺乏光刻系統,因為它在實施限制之前已經購買了數台,但挑戰在於來自泛林等供應商的蝕刻工具。這些工具對於複雜的3D NAND晶圓製造工藝至關重要,尤其是在公司與競爭對手競爭添加更多層,以提高存儲密度的情況下。

3D NAND由許多垂直堆疊的存儲單元層組成。隨著更多層的添加,從而使產品具有更大的存儲容量。

以前,NAND閃存製造商使用稱為平面NAND的二維架構,其中閃存單元並排放置在晶體管芯片上。製造商一直努力在更小的空間內安裝更多的電池,在短短15年內,電池尺寸從120納米縮小到19納米,容量增加了100倍,直到2010年左右達到技術極限。

三星在2013年推出了世界上第一款3D NAND設備,實現了一個重要里程碑。從那時起,隨著數據存儲需求的不斷增長,2D架構已經讓位於3D。當今世界,主流的3D NAND架構被稱為CMOS Under Array, CUA,美國公司美光和英特爾在2015年推出了他們的第一款3D NAND芯片。

TrendForce表示,除了對其生產的影響外,中國以外的NAND閃存買家現在對採用長江存儲的技術持很大保留態度,蘋果和其它公司暫時停止向中國公司提供產品樣品。

「由於技術停滯,長江存儲將逐漸失去成本競爭力,其市場份額的侵蝕將持續。」TrendForce表示。

責任編輯:葉紫微 #

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