SK海力士砸千億 美國新廠2029年量產AI晶片

川普政府正要求韓國記憶體廠擴大美國產能。韓國晶片大廠SK海力士（SK Hynix）28日表示，2029年第三季將在美國新廠量產次世代HBM4E晶片，這也代表SK海力士在美國業務有重大進展。

路透社報導，SK海力士在美國印第安納州西拉菲葉特（West Lafayette）投入逾40億美元建廠，未來此一位於普渡研究園區（Purdue Research Park）的廠區，將成為美國重要的高頻寬記憶體（HBM）生產基地。SK海力士希望讓生產基地更靠近輝達、微軟與Alphabet旗下的Google等主要客戶。

SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）預期，新廠區2028年下半年將開始無塵室作業，最終每年能處理數十萬片晶圓。這座廠區將設有次世代HBM封裝產線，以及一座人工智慧（AI）半導體研發設施。郭魯正表示，SK海力士的目標是在美國打造先進記憶體供應鏈。

HBM與傳統記憶體產品不同，它與AI處理器緊密整合，形成較高技術門檻，也讓供應商掌握更大定價權。記憶體產業經歷近期低迷後，HBM已成為製造商主要成長動能。

根據市調機構Counterpoint Research，SK海力士第一季以營收計算，在全球HBM市占率達58%，遠遠領先三星電子與美光科技，後兩者各為21%。

美國政府為協助SK海力士在美擴產，已於2024年12月依《晶片法案》敲定4億5,800萬美元補助，以及上限5億美元貸款；SK海力士董事會本月稍早核准2031年以前約383億美元的投資計畫，其中韓國晶片製造廠第二階段擴建約占248億美元。◇