三星首創900層NAND

人工智慧（AI）帶動資料中心與高效能運算需求暴增，記憶體產業成為AI基礎建設的核心之一，開始擺脫傳統景氣循環。三星電子宣布成功開發全球首個900層V-NAND（NAND型快閃記憶體）原型產品，在新的技術領域提前卡位；《華爾街日報》更形容，記憶體是AI時代的「新石油」，讓三星、SK海力士與美光市值皆突破1兆美元大關。

韓媒Electronic Times報導，過去十年多來，記憶體產業主要透過增加堆疊層數，以提升儲存密度，但隨著技術逼近物理極限，晶圓翹曲、良率與製造成本等問題日益嚴峻。三星改採晶圓接合技術，被視為邁向千層NAND的重要轉折點。

三星近日宣布以自研的Cell Multi-Bonding（CMB）技術，將兩片450層儲存單元晶圓接合，形成等效900層的V-NAND架構，並已獲得驗證，且儲存單元可正常運作。

目前量產市場仍由SK海力士321層4D NAND保持最高堆疊紀錄。不過三星除了規劃今年量產超過400層的第10代V-NAND，也同步完成900層原型驗證，外界解讀，廠商已提前布局下一世代高密度儲存市場。

記憶體是「AI時代新石油」

在記憶體技術競賽升溫下，背後是AI基礎建設帶來的龐大需求。《華日》指出，近期三星電子、SK海力士與美光科技等全球三大記憶體廠，市值均突破1兆美元，合計更超越全球前三大石油公司總和。

報導形容，記憶體可說是「AI時代新石油」，為確保未來供應，大型雲端服務供應商開始接受長期供貨合約。美光已簽下5年期供應協議，閃迪（SanDisk）也表示已透過長約鎖定自身超過1/3的產能。

瑞銀分析師阿爾庫里（Tim Arcuri）預估，2027年將有三成的DRAM（動態隨機存取記憶體）出貨量透過類似長約模式銷售；根據調查，微軟、Google及亞馬遜等大型雲端業者，目前已預訂全球約2/3伺服器DRAM產能。◇