AI搶產能排擠效應？瑞銀：車用記憶體今年恐爆缺貨潮

AI引發的全球半導體產能爭奪戰，正在由伺服器開始蔓延到汽車產業。瑞銀（UBS）近日發布最新報告示警，隨著全球晶圓產能逐步向AI伺服器、高頻寬記憶體（HBM）傾斜，車用動態隨機存取記憶體（DRAM）預期第二季恐將浮現「漲價與短缺」雙重壓力，造成相關零組件供應商獲利大幅縮水。

綜合外媒報導，瑞銀指出，三星、SK海力士與美光等全球三大記憶體廠，為追求更高毛利，已將資本支出與產能重心轉向布局AI伺服器所需的HBM；由於共用矽晶圓產能，每一片被分配給HBM的晶圓，等同壓縮車用DRAM的供給空間。

據瑞銀統計，目前DRAM市場價格已累計上漲超過100%，且漲勢將蔓延到車用產品。報告預期，第一季DRAM合約價格的季增幅將維持55%至60%高成長，使車用供應鏈面臨嚴峻的成本與交期壓力。

財務衝擊方面，瑞銀模型顯示，電子與先進駕駛輔助系統（ADAS）業務占比較高的供應商，應是此波風險程度較高的產業族群。在基準情境下，若DRAM價格上漲120%，而供應商只能向整車廠回收80%成本，預估今年零件商的稅前息前淨利（EBIT）將下滑5%至6%。

至於極端情境下，若DRAM漲幅擴大至200%、成本回收比例降至50%時，零件商EBIT跌幅恐飆升至24%，獲利縮水規模接近一半，將對企業財務體質形成衝擊。

瑞銀分析，這波風險主因為半導體資源的重新分配，以及汽車迭代技術的錯配問題。AI對HBM需求自去年起急遽攀升，而汽車產業正處於從DDR4、LPDDR4轉向DDR5新技術的關鍵期。

對整車廠（OEM）來說，雖然DRAM成本在整車售價占比仍屬有限，但隨智慧座艙普及，單車DRAM成本已達25至150美元；採集中式運算架構的高階品牌與純電新創車廠，因使用率明顯增加，對價格波動的敏感度可能遠高於傳統車型。

瑞銀認為，企業短期的庫存與長約，或能帶來部分緩衝，但恐怕要等到2028年後，透過新一輪產品設計與供應鏈重組才能有結構性的解方。目前正處於2026、2027年技術轉換空窗期，車用電子供應鏈應嚴防系統性風險、導致獲利縮水。◇