三星放話5年超車台積

台積電與三星在半導體製程上的競爭始終是產業關注焦點，三星電子半導體事業主管慶桂顯4日坦言，現階段確實在技術上輸給台積電，但是一但進入到2奈米，將採用的是GAA架構，三星在此領域已領先台積電。對此，國內專家表示，三星想要彎道超車台積電，仍有一大段的距離。

綜合媒體報導，慶桂顯說，三星的4奈米落後2年、3奈米落後3年，但等到進入GAA架構後情勢可能逆轉。

他說，三星已在3奈米佈局GAA架構，而台積電的狀況是，3奈米採用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，等到2奈米才會導入GAA，三星有自信可以掌握優勢，預計在5年內製程技術就可超越台積電。

三星聲稱3奈米GAA技術能比上一代製程節點提高效能30%、減少耗能50%、縮減晶片面積45%，三星的計畫是，明年起根據GAA架構量產2奈米晶片。

慶桂顯說，以客戶對GAA的接受程度而言，「確實有客戶較偏好我們的GAA技術，但我不能透露客戶名稱，三星的晶圓代工客戶群正在擴增」。

對於三星發出5年內在製程技術超越台積電的豪語，台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真表示，三星（Samsung）去年6月就宣布3奈米製程導入環繞閘極（GAA）架構，因良率提升速度較預期緩慢，三星3奈米爭取到的客戶訂單極為有限。

劉佩真說，透過降價搶單策略，傳出三星分食到超微或Google部分4奈米訂單，不過這些大客戶仍主要由台積電代工生產，因為台積電先進製程良率穩定度及整體表現都優於三星。

她進一步分析，台積電囊括全球晶圓代工市場高達58.5%的市占率，遠高於三星的15.8%，預期未來三星想要彎道超車台積電，仍有一大段的距離。