領先全球 清大突破MRAM瓶頸

【記者張原彰/台北報導】

被稱為「不失憶」記憶體的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)已是三星、東芝、英特爾等全球半導體大廠積極投入的領域,台灣清華大學成功以前瞻性的技術突破MRAM瓶頸,經由科技部半導體射月計畫的連結,將對於國內記憶體產業發展有決定性的影響力。

電腦、平板、手機的核心越來越小,全球大廠尋找體積小,且可穩定與快速處理資訊的技術,MRAM則是被看好的記憶體。有別於DRAM,MRAM兼具處理與儲存資訊的功能,且斷電時資訊不會流失,電源開啟可即時運作,耗能低、讀寫速度快等優點。

不過MRAM技術突破正面臨瓶頸,因其得操控釘鎖住的鐵磁層,且現今採用的外加磁場或是升降溫度,都與電子元件造成衝突,世界各研究團隊正尋求嶄新的操控技術。

科技部表示,清大團隊利用自旋流通過鐵磁—反鐵磁膜層的技術,可與現有電子元件的操控與製程無縫接軌,是MRAM的大突破,為自旋電子學的發展帶來嶄新視野。

科技部表示,目前研究團隊將此突破性的發現,應用到其他結構的奈米膜層,陸續發現更多具影響力的結果,除了學術的貢獻外,經由科技部半導體射月計畫的連結,將對於國內記憶體產業發展有決定性的影響力。

科技部表示,這項技術在學理上的存取速度接近SRAM,具快閃記憶體的非揮發性特性,平均能耗遠低於DRAM,應用於嵌入式記憶體(Embedded Memory)極具潛力,隨著人工智慧、物聯網裝置與更多的資料收集與感測需求,MRAM的市場也將迅速成長。◇

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