領先全球 清大突破MRAM瓶頸

被稱為「不失憶」記憶體的磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）已是三星、東芝、英特爾等全球半導體大廠積極投入的領域，台灣清華大學成功以前瞻性的技術突破MRAM瓶頸，經由科技部半導體射月計畫的連結，將對於國內記憶體產業發展有決定性的影響力。

電腦、平板、手機的核心越來越小，全球大廠尋找體積小，且可穩定與快速處理資訊的技術，MRAM則是被看好的記憶體。有別於DRAM，MRAM兼具處理與儲存資訊的功能，且斷電時資訊不會流失，電源開啟可即時運作，耗能低、讀寫速度快等優點。

不過MRAM技術突破正面臨瓶頸，因其得操控釘鎖住的鐵磁層，且現今採用的外加磁場或是升降溫度，都與電子元件造成衝突，世界各研究團隊正尋求嶄新的操控技術。

科技部表示，清大團隊利用自旋流通過鐵磁—反鐵磁膜層的技術，可與現有電子元件的操控與製程無縫接軌，是MRAM的大突破，為自旋電子學的發展帶來嶄新視野。

科技部表示，目前研究團隊將此突破性的發現，應用到其他結構的奈米膜層，陸續發現更多具影響力的結果，除了學術的貢獻外，經由科技部半導體射月計畫的連結，將對於國內記憶體產業發展有決定性的影響力。

科技部表示，這項技術在學理上的存取速度接近SRAM，具快閃記憶體的非揮發性特性，平均能耗遠低於DRAM，應用於嵌入式記憶體（Embedded Memory）極具潛力，隨著人工智慧、物聯網裝置與更多的資料收集與感測需求，MRAM的市場也將迅速成長。◇